Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 | Компьютеры и офис

Rated 4.00 out of 5 based on 4 customer ratings

(4 customer reviews)

~~2472.5 руб.~~ 2150

*Узнать точную стоимость и возможную скидку можно добавив товар в корзину

Быстрая доставка в г.Эль-Монте*

Отзывы о продавце: sp-laptop Store

Характеристики

Оперативная память Samsung DDR3 4GB 2Rx8 PC3-10600S-09-11-F3 SO-DIMM

p/n: M471B5273CH0-CH9

DDR3 4GB 2Rx8 PC3-10600S-09-10-F2 SO-DIMM

Бренд: Samsung; Состояние: Новое; Тип: DDR3; Количество Модулей: 1; Количество контактов: 204; Объем модуля: 4 Гб; Тип компьютера: Ноутбук; Форм-фактор: SODIMM; Частота: 1333 MHz; Стандарт памяти: PC3-10600S; Поступление: новинка; Напряжение питания V: 1.5;

Отзывы о Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 | Компьютеры и офис

Отзывы ( 0 )

Сначала новые

Сначала старые

Сначала лучшие

Введите любое имя и нажмите войти

Войти

Загружено по ссылке

Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 | Компьютеры и офис

Отзывы о Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3 1333 МГц SODIMM CL9 M471B5273CH0-CH9 | Компьютеры и офис

Отзывы о товарах

Оперативная память бренда Shock They DDR2 800 МГц 1 Гб 2 для настольных ПК совместима с DDR3

Кингстон модуль памяти SODIMM DDR4 8 ГБ 2933 МГц PC4-23400 ON.

Ноутбук Kembona SODIMM оперативная память ноутбука DDR4 4GB 4G 2133mhz низкое напряжение 1 2 V 260Pin

Reeinno Ram 4 GB/8 GB DDR4 2400MHz 1 2 V PC4-19200 17-17-17-39 CL = 17 Тип интерфейса 288pin одиночный модуль

WAL Оперативная память memoria ddr3 8 Гб 1600 МГц ddr4 3200 памяти 2666 ecc reg DDR3L 4 оперативной 16

Модуль оперативной памяти ноутбука Samsung Original DDR4 8GB (PC4-19200) 2400MHz 1.2V SO-DIMM (M471A1K43CB1-CRCD0) -