Характеристики
Информация о продукте
10 Вт
Мощность: 10 Вт
Напряжение: DC12-14V
Ток: 800мА ± 5%
Серийная и Параллельная схема: 4 серии и 3 параллельных
Размер: 20*30 мм (0,7874 * 1.1811in)
Размер излучающей светильник поверхности: 12*12 мм (0,4724*0,4724 дюйма)
Размер кристалла: 35*35 мил
Количество кристаллов: 12 шт.
Название кристалла: чип Epistar
Люмен: 1200лм
Медь подложки Толщина: 1,5 мм (0.0591in)
Термальность изолированная медная Подложка: 4,0 ВТ/(м · K)
Место применения: прожектор светильник
Условия использования: требуется радиатор
Температура чипа не превышает 65 ℃

20 Вт
Мощность: 20 Вт
Напряжение: DC30-32V
Ток: 600мА ± 5%
Серийная и Параллельная схема: 10 серий и 2 параллельных
Размер: 57*53 мм (2,2441 * 2,0866in)
Размер излучающей светильник поверхности: 25*25 мм (0,9842*0,9842 дюйма)
Размер кристалла: 35*35 мил
Количество кристаллов: 20 шт.
Название кристалла: чип Epistar
Люмен: 2400LM
Медь подложки Толщина: 1,5 мм (0.0591in)
Термальность изолированная медная Подложка: 4,0 ВТ/(м · K)
Место применения: прожектор светильник
Условия использования: требуется радиатор
Температура чипа не превышает 65 ℃

30 Вт
Мощность: 30 Вт
Напряжение: DC30-32V
Ток: 900мА ± 5%
Серийная и Параллельная схема: 10 серий и 3 параллельных
Размер: 57*53 мм (2,2441 * 2,0866in)
Размер излучающей светильник поверхности: 25*25 мм (0,9842*0,9842 дюйма)
Размер кристалла: 35*35 мил
Количество кристаллов: 30 шт.
Название кристалла: чип Epistar
Люмен: 3600LM
Медь подложки Толщина: 1,5 мм (0.0591in)
Термальность изолированная медная Подложка: 4,0 ВТ/(м · K)
Место применения: прожектор светильник
Условия использования: требуется радиатор
Температура чипа не превышает 65 ℃

50 Вт
Мощность: 50 Вт
Напряжение: DC30-32V
Ток: 1500ма ± 5%
Серийная и Параллельная схема: 10 серий и 5 параллельных
Размер: 57*53 мм (2,2441 * 2,0866in)
Размер излучающей светильник поверхности: 25*25 мм (0,9842*0,9842 дюйма)
Размер кристалла: 35*35 мил
Количество кристаллов: 50 шт.
Название кристалла: чип Epistar
Люмен: 6000LM
Медь подложки Толщина: 1,5 мм (0.0591in)
Термальность изолированная медная Подложка: 4,0 ВТ/(м · K)
Место применения: прожектор светильник
Условия использования: требуется радиатор
Температура чипа не превышает 65 ℃

100 Вт
Мощность: 100 Вт
Напряжение: DC30-32V
Ток: 3000ма ± 5%
Серия и Параллельная схема: 10 серий и 10 параллельных
Размер: 57*53 мм (2,2441 * 2,0866in)
Размер излучающей светильник поверхности: 25*25 мм (0,9842*0,9842 дюйма)
Размер кристалла: 35*35 мил
Количество кристаллов: 100 шт.
Название кристалла: чип Epistar
Люмен: 12000 лм
Медь подложки Толщина: 1,5 мм (0.0591in)
Термальность изолированная медная Подложка: 4,0 ВТ/(м · K)
Место применения: прожектор светильник
Условия использования: требуется радиатор
Температура чипа не превышает 65 ℃




Отзывы о Светильник для выращивания растений светодиодная 12 В 30 светодиодный 100-нм 10-нм |
Отзывы о товарах